创维半导体设计大厦位于深圳市南山科技园南区，高新南四道与高新南十路交汇处，为深圳特区成立30周年十大产业项目之一，于2010年8月24日奠基，建设周期3年。

创维半导体设计大厦占地面积17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积为84931.04平方米，建筑楼高99.8米，长171米；其中东、西座地上24层，地下3层；裙楼连接东、西两座塔楼，地上5层，地下3层；办公标准楼层柱距为8.4米。

创维半导体设计大厦写字楼共有12套在租户型，出租面积在117.6-510.17m²不等，其所在地区是在南山区科技园，附近地铁距离1号线（罗宝线-高新园）约371米。

创维半导体设计大厦写字楼的竣工时间2010年08月，总楼层是26层，层高4.5米，空调类型是中央空调，拥有地下726个车位数，空调费是计流量，拥有迅达电梯21部，东座6部客梯分高低区，西座6部客梯分高低区。